Samsung и Hynix анонсировали первые модули ОЗУ DDR4

марта 2, 2012 | By admin | Category: Железо

Компании Samsung и Hynix неимоверно буквально на прошлой неделе показали общественности первые, разумеется, не впрямь коммерческие образцы модулей оперативной памяти DDR4.

Samsung и Hynix анонсировали первые модули ОЗУ DDR4

Новинки от Samsung изготовлены на базе микросхем 30 нм архитектурой и характеризуются возможностью работать на эффективной частоте 2133 МГц при номинальном напряжении 1,2 вольта.

Компания Hynix же использовала микросхемы на базе 38 нм, при этом память работает на частоте 2400 МГц при тех же 1,2 вольта, пишет NTECH.

Обе компании рассчитывают начать взаправду массовое производство микросхем DDR4 уже в этом году, после освоения 20 нм технологических норм. Впрочем, широкомасштабное внедрение памяти, как считают аналитики, начнётся только в 2014 году.

Tags: , , , , ,

Оставьте комментарий

Да человек я, человек! =)