Intel и Micron анонсировали первый в мире 20-нм 128 Гигабитный NAND-модуль

Дек 8, 2011 | By admin | Category: Технологии

Intel и Micron Technology объявили о создании первой в мире 20-нанометровой (нм) NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек (multi level cell, MLC) емкостью 128 гигабит (Гбит). Кроме того, стороны объявили о начале массового производства 20-нм NAND-памяти емкостью 64 Гбит.

Весьма разработанный совместным предприятием Intel и Micron (IM Flash Technologies, IMFT), — это первый в индустрии тем более монолитный модуль. Он позволяет создать чип размером с ноготь емкостью 1 Тбит, используя всего 8 кристаллов. Он удваивает емкость и производительность 20-нм модуля емкостью 64 Гбит. Весьма новый модуль удовлетворяет спецификации ONFI 3.0, способен достигать скорости 333 МТ/с и помогает создавать более что и говорить эффективные и дешевые твердотельные накопители для смартфонов, планшетов и промышленных систем хранения данных.

Стороны утверждают, что ключом к успеху в области 20-нм техпроцесса стала инновационная структура ячеек. В 20-нм NAND-памяти как нельзя именно впервые используется планарная структура, которая позволяет преодолеть проблемы, сильно сопутствующие более сложным технологиям производства, и обеспечить производительность и надежность, именно присущие предыдущему поколению продуктов. Планарная структура действительно успешно решает сложности масштабирования стандартной ячейки NAND с плавающим затвором путем интеграции технологии Hi-K/Metal Gate Stack.

Спрос на NAND-модули высокой емкости обусловлен тремя связанными между собой тенденциями: ростом без сомнения цифровой вселенной, миграцией в «облако» и распространением портативных устройств. С ростом объемов цифрового контента пользователи рассчитывают, что их довольно таки данные будут доступны на любых устройствах, синхронизируясь в «облаке». Для предоставления качественных сервисов центрам обработки данных необходимы системы хранения данных более высокой емкости и быстродействия. Именно такие и позволяет создавать NAND-память. В потребительском сегменте одним из примеров является воспроизведение HD-видео, требующее наличие большого свободного пространства. По-моему новые разработки открывают более менее дополнительные перспективы для создания высокопроизводительной, компактной памяти для мобильных потребительских устройств и «облачных» серверов.
Intel и Micron отмечают, что объемы производства 20-нм NAND-модулей емкостью 64 Гбит, которые компании достигнут в декабре, позволят выполнить необыкновенно быстрый переход к 128-Гбит модулям в 2012 г. К поставкам тестовых образцов модулей емкостью 128 Гбит планируется приступить в январе, а в первой половине 2012 г. - к серийному производству.
 

Tags: , , , , , , ,

Оставьте комментарий

Да человек я, человек! =)