Flash-память от Toshiba: 8 ГБ на одном чипе
Авг 31, 2010 | By admin | Category: Железо
Toshiba объявила о начале массового производства чипов NAND flash на основе 24-нм технологии.
Неимоверно новые технологии позволят добиться плотности 8 ГБ на одном чипе (2 бита в ячейке). Компания планирует и разительно далее развивать этот метод и выпустить 32-ГБ чипы с 3 битами в ячейке. В чипе использована и технология Toshiba DDR для повышения скорости передачи данных.
С такими характеристиками, как небольшие размеры и весьма повышенная плотность, тем более новые чипы могут быть использованы в мобильных телефонах, цифровых видеокамерах. Toshiba сможет поставлять их для таких продуктов, как iPod и iPhone.